近日，证监会官网发布公告，正式同意长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。这意味着，扎根合肥的国内DRAM产业龙头企业长鑫科技，即将登陆上交所科创板资本市场。

根据证监会批复要求，长鑫科技本次股票发行需严格按照向上交所报送的招股说明书及发行承销方案规范实施，该注册批复自同意之日起12个月内有效。同时明确，自批复生效至股票发行结束期间，若公司发生重大事项，需第一时间向上交所报备并依规妥善处置，保障发行上市工作平稳合规推进。

本次上市推进节奏稳步有序。早在5月27日，上交所上市审核委员会已审议通过长鑫科技科创板IPO申请。本次IPO长鑫科技拟募集资金295亿元，一举刷新科创板单次IPO拟募资总额纪录，超越此前中芯国际200亿元的拟募资规模，彰显出资本市场对安徽存储龙头企业核心竞争力、发展潜力的高度认可。公开资料显示，中芯国际此前科创板上市实际募资达532.3亿元，市场业内普遍看好长鑫科技本次上市的资本赋能空间与产业辐射价值。

作为安徽集成电路产业的标杆企业，长鑫科技深耕DRAM（动态随机存取存储器）核心赛道，专注于存储器产品的设计、研发、生产与全链条销售，构建了完善的自主产业体系。目前，公司已打造DDR系列、LPDDR系列等多元化核心产品矩阵，可对外提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等全品类产品解决方案，产品广泛适配服务器、个人电脑、移动智能终端、智能汽车等主流应用场景，覆盖市场多元需求。

凭借持续的技术攻坚与产能布局，长鑫科技行业地位稳居国内首位、全球前列。据权威咨询机构Omdia数据显示，长鑫科技已成长为中国第一、全球第四的DRAM专业厂商，彻底打破了海外企业长期垄断全球存储市场的格局，填补了国内高端DRAM产业化空白，是我国存储芯片国产化替代的核心中坚力量。

据悉，长鑫科技本次295亿元募集资金，将精准聚焦主业升级与技术创新，重点投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发三大核心项目。募资落地后，将有效助力公司升级生产制造产能、迭代核心技术、布局前沿领域，进一步提升产品性能、产能规模与市场占有率，持续缩小与国际头部存储企业的技术差距。

长鑫科技成功过审、即将登陆科创板，不仅是企业自身跨越式发展的重要里程碑，更是合肥集成电路产业集群建设的重大突破。作为安徽省重点培育的战略性新兴产业龙头，长鑫科技多年来带动上下游芯片设计、封装测试、材料设备企业集聚发展，完善了安徽集成电路产业链、供应链、创新链。

此次登陆资本市场，将进一步激活合肥乃至安徽存储产业创新活力，加速我省打造全国领先的集成电路产业高地，为我国半导体存储产业自主可控、高质量发展贡献安徽力量。