我国实现碳化硅量子节点中的室温纠缠存储

2026-10-26 09:15:44　来源：腾讯新闻　作者：　责任编辑：王家言

9 月，中国科学技术大学实现了量子纠缠的相干转移与长寿命存储，将纠缠寿命延长约240 倍。量子纠缠是量子计算的核心资源，但在固态体系中容易受环境噪声影响而快速退相干。团队在 4H—碳化硅中制备了距表面约 15 纳米深处的单个 PL6 色心，其电子自旋与两个邻近硅核自旋强耦合，形成由一个电子自旋处理比特和两个核自旋存储比特组成的三比特量子节点。团队先制备电子自旋与核自旋间的 Bell 纠缠态，再通过交换门将纠缠相干转移至两个核自旋，使其与易受噪声影响的电子自旋解耦。

扫一扫在手机打开当前页